我们可将累增倍增的分析近似成如下:假设一个载子(可为n型或冲撞游离产生的电子，电洞对:(a)反向偏压p-n接面的能带图

显示(主要的)在空乏区场的电子增加的动能，并且由冲撞游离产生(次

要的)电子电洞对。在此过程中主要的电子损失动能;(b)接面空乏区中

一个入射电子碰撞产生的单一游离;(c)主要、次要和第三个碰撞。

p型)与晶格撞游离的机率P，在过渡区W距离内被加速，因此nin

们电子进入p边，碰撞游离的机率Pnin，而每次碰撞都产生一个电子电

洞对(二次载子)。在主要电子碰撞Pnin后， 生nin (l+P)个电子。

在一次碰撞后，每个电子电洞对在过渡区内走 W的距离。例如，若一电

子电洞对是在区域中心产生，电子会漂移 W/2距离到n而电洞会漂移

W/2到p。因此由于二次载子运动所造成碰撞游离的机率仍是P对ninP

个二次电子电洞对碰撞游离的次数为(ninP)P而产生ninP2三次电子电洞

对。在多次碰撞后，假设无再结合发生，n区外产生的总电子数为