当高掺杂的陡峭接面，这种机制为齐纳崩溃(穿隧);然而，对于典型的

低掺杂或梯度接面，较通常发生的崩溃为累增崩溃。藉由改变掺杂浓度我

 们可以制作特定崩溃电压的二极体，其崩溃电压可以小至1V以下或高

至几百伏特以上。若接面设计得好，崩溃电压将会很陡峭且崩溃后的电流

 与电压无关(图5-26a)。当一个二极体针对某特定崩溃电压而设计，则称

 其为崩溃二极体(breakdown diode)。这样的二极体也称作齐纳二极

 (Zener diodes)，虽然一般崩溃的机制为累增效应。此专有名词的失

 误乃由于早期观察p-n接面崩溃时认定的错误所造成。