到目前為止我們所討論的皆是純度相當高的半導體，因為即使是有摻雜的半導體，摻雜的濃度比起全體原子的密度仍舊相當低。因為這些施體或受體雜質相距很遠，因此在這些施體與受體能階上電子的傳播並不須予以考慮。然而，如果我們持續增加摻雜的濃度時，情況又會變成如何？我們可以預期，在某一濃度以上受體或施體雜質能階上的電子傳播，必因這些雜質間彼此相距如此近，而不能再予以忽略。舉例來說，在高施體濃度時，這些施體能階就不能再被視為是獨立無相互作用的離散能階。此時，這些施體能階形成一新的能帶，而此能帶亦可能與導帶的最低點重疊相接。與此同時，如果導帶電子濃度超過導帶的等效能態密度，則費米能階將不再處於能隙之間，而在於導帶之上。當此現象發生時，我們稱此半導體為退化（degenerate）n型半導體。同理，當受體能階達到很高時，也會有費米能階在價帶上之退化p型半導體的情形發生。在費米－迪拉克分佈中，費米能階以下的能階大部分皆被填滿，而其上之能階大部分為空。因此，在退化n型半導體中，由E_c到E_F間的能階幾乎全為電子所填滿，同理，在退化p型半導體中，由E_v到E_F間的能階幾乎全無電子填充。