當高摻雜的陡峭接面，這種機制為齊納崩潰(穿隧);然而，對於典型的

低摻雜或梯度接面，較通常發生的崩潰為累增崩潰。藉由改變摻雜濃度我

 們可以製作特定崩潰電壓的二極體，其崩潰電壓可以小至1V以下或高

至幾百伏特以上。若接面設計得好，崩潰電壓將會很陡峭且崩潰後的電流

 與電壓無關(圖5-26a)。當一個二極體針對某特定崩潰電壓而設計，則稱

 其為崩潰二極體(breakdown diode)。這樣的二極體也稱作齊納二極

 (Zener diodes)，雖然一般崩潰的機制為累增效應。此專有名詞的失

 誤乃由於早期觀察p-n接面崩潰時認定的錯誤所造成。