我們可將累增倍增的分析近似成如下:假設一個載子(可為n型或衝撞游離產生的電子，電洞對:(a)反向偏壓p-n接面的能帶圖

顯示(主要的)在空乏區場的電子增加的動能，並且由衝撞游離產生(次

要的)電子電洞對。在此過程中主要的電子損失動能;(b)接面空乏區中

一個入射電子碰撞產生的單一游離;(c)主要、次要和第三個碰撞。

p型)與晶格撞游離的機率P，在過渡區W距離內被加速，因此nin

們電子進入p邊，碰撞游離的機率Pnin，而每次碰撞都產生一個電子電

洞對(二次載子)。在主要電子碰撞Pnin後，共產生nin (l+P)個電子。

在一次碰撞後，每個電子電洞對在過渡區內走 W的距離。例如，若一電

子電洞對是在區域中心產生，電子會漂移 W/2距離到n而電洞會漂移

W/2到p。因此由於二次載子運動所造成碰撞游離的機率仍是P對ninP

個二次電子電洞對碰撞游離的次數為(ninP)P而產生ninP2三次電子電洞

對。在多次碰撞後，假設無再結合發生，n區外產生的總電子數為